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石墨盤定制


    GaN材料(liao)的(de)(de)研(yan)(yan)究與應用是目(mu)前全球半導體研(yan)(yan)究的(de)(de)前沿(yan)和熱點(dian),是研(yan)(yan)制微電子(zi)器件(jian)、光電子(zi)器件(jian)的(de)(de)新型半導體材料(liao)。GaN材料(liao)的(de)(de)制備主要(yao)采(cai)用氣相(xiang)外延生(sheng)長(chang)的(de)(de)方(fang)法,石(shi)(shi)墨盤是外延生(sheng)長(chang)GaN晶體的(de)(de)必備耗材。由于(yu)石(shi)(shi)墨材料(liao)在高(gao)(gao)溫(wen)、腐蝕性氣體環境下(xia)會(hui)發生(sheng)腐蝕掉粉現象,從而將粉體雜質引入到單晶材料(liao)中。因此,涂(tu)覆高(gao)(gao)純(chun)度、均勻(yun)致密的(de)(de)保(bao)護(hu)涂(tu)層是解決(jue)該問題(ti)的(de)(de)唯一方(fang)法。經化學氣相(xiang)沉積碳化硅涂(tu)層后的(de)(de)石(shi)(shi)墨盤具有(you)耐高(gao)(gao)溫(wen)、抗氧(yang)化、純(chun)度高(gao)(gao)、耐酸堿鹽及(ji)有(you)機(ji)試劑等特性,滿足(zu)高(gao)(gao)純(chun)度單晶生(sheng)長(chang)環境的(de)(de)需要(yao),國外已(yi)將其作為(wei)一種新耗材在MOCVD外延生(sheng)長(chang)設備上大規(gui)模(mo)使用,但(dan)國內還沒有(you)這一相(xiang)關的(de)(de)產(chan)品。

      國(guo)防科技大(da)學(xue)從2000年(nian)開始,一直致力(li)于化(hua)學(xue)氣相沉積碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)涂(tu)(tu)(tu)層(ceng)制(zhi)備技術(shu)應(ying)用研究(jiu),突破(po)了碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)涂(tu)(tu)(tu)層(ceng)制(zhi)備的(de)(de)各項關(guan)鍵(jian)技術(shu),具(ju)備了大(da)尺(chi)寸(直徑700mm)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)涂(tu)(tu)(tu)層(ceng)制(zhi)備能力(li),獲得(de)國(guo)家發明專利授權1項。本(ben)實驗室(shi)制(zhi)備的(de)(de)碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)涂(tu)(tu)(tu)層(ceng)的(de)(de)特點是:(1)高(gao)溫(wen)抗氧化(hua):溫(wen)度高(gao)達1600℃時抗氧化(hua)性能仍然非常好;(2)純度高(gao)、均勻、致密(mi)、顆粒細、無缺陷;(3)耐沖刷;(4)抗腐蝕(shi)性:耐酸、堿(jian)、鹽及有機(ji)試劑。該(gai)技術(shu)在石(shi)墨盤(pan)方(fang)面具(ju)有很好的(de)(de)推廣應(ying)用前(qian)景。

     碳化硅(gui)涂層(ceng)石(shi)墨盤是各(ge)半導(dao)體廠家必(bi)不可(ke)少的(de)耗材,目(mu)前,該產(chan)品全部(bu)依賴進口,價格昂貴,且受制于人。因此(ci),本(ben)實(shi)驗室開發的(de)碳化硅(gui)涂層(ceng)石(shi)墨盤技(ji)術(shu)一旦實(shi)現產(chan)業化,將對我國的(de)半導(dao)體行業具有重要的(de)戰略意義和市場(chang)經濟價值(zhi)。